高壓無線核相儀生產(chǎn)廠商--上海百試電氣科技有限公司為您提供以下內(nèi)容：

1  導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010101
2  絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3  半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱為半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4  本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。E50601010104
5  雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性能就會發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。E50601010105
6  N型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素（如磷（P）、砷（As））的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。E50601010106
7  P型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價元素（如硼（B）、銦（In））的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。E50601010107
8  空穴（hole）：電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱為空穴�？昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個重要特點，通�？蓪⒖昭ㄒ暈閹д�電的粒子。E50601010108
9  載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動的電荷統(tǒng)稱為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10  擴散（diffusion）：在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，多數(shù)載流子的這種運動稱為擴散。擴散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010201
11  漂移（drift）：在擴散產(chǎn)生的內(nèi)電場作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運動，稱為漂移運動，簡稱漂移。漂移和擴散產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010202
12  PN結(jié)（PN junction）：由于載流子的擴散和漂移，在P區(qū)和N區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個空間電荷區(qū)（space-charge region），這個空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)也稱為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13  耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴散到對方并被復(fù)合掉，或者說多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個空間電荷區(qū)也稱為耗盡層。E50601010204
14  阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場對多數(shù)載流子的擴散起阻擋作用，所以這個空間電荷區(qū)又稱為阻擋層。E50601010205
15  偏置（bias）：在PN結(jié)上外加一定的電壓，稱為偏置。在PN結(jié)上加正向電壓，稱為正向偏置，簡稱正偏（forward bias）；在PN結(jié)上加反向電壓，稱為反向偏置，簡稱反偏（reverse bias）。E50601010206
16  半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個PN結(jié)的P區(qū)和N區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱為半導(dǎo)體二極管。E50601020101
17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)�通時其兩端所加的電壓稱為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18  二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過二極管的電流之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性。E50601020202
19  死區(qū)（dead zone）：當(dāng)二極管所加的正向電壓較小時，由于外部電場不足以克服內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散運動所造成的阻力，因此這時的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱為“死區(qū)”。E50601020203
20  ****大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時所能承受的****高反向電壓。一般規(guī)定****大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21  反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過一定范圍時，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無關(guān)，故此時的反向電流通常稱為反向飽和電流。E50601020303
22  整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。E50605010001
23  濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。將整流輸出的單向脈動電壓變換為脈動程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。E50605020001
24  參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊中查到。E50601020301
25  穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路。E50601020401
26  溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時，溫度系數(shù)為負(fù)。E50601020402
27  雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個電極的電流控制型器件。E50601030001
28  場效應(yīng)晶體管（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個電極的電壓控制型器件。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱為MOS場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29  共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)發(fā)射極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共發(fā)射極電路。E50602010101
30  共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)集電極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱為共集電極電路，也稱為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31  共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)基極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共基極電路。E50602010103
32  輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱為輸入特性。一般用曲線表示，稱為輸入特性曲線。E50601030301
33  輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34  電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時的電流放大系數(shù)α、共射極接法時的電流放大系數(shù)β。E50601030201
35  集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發(fā)射極開路時，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發(fā)射極反向飽和電流又稱穿透電流，是指當(dāng)基極開路時，集電極和發(fā)射極之間流過的電流。E50601030402
37  集電極****大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極****大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過規(guī)定允許值時（功率與電壓未超過額定值，一般指β值沒有下降到正常參數(shù)的 時）集電極電流的****大值。E50601030403
38  集電極****大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時，集電結(jié)的功率****大值，如果超過此值，器件就可能損壞。E50601030404
39  放大（amplification）：輸出信號（電流、電壓或功率）比輸入信號大，稱為放大。其實質(zhì)是通過電子器件的控制作用，將直流電源的****轉(zhuǎn)化為負(fù)載所需要的電能形式。E50602000001
40  微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號時放大電路的等效電路稱為微變等效電路。E50602030201
41  微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號較�。ㄎ⒆冃盘枺�時，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進行分析，這種特定的分析方法稱為微變等效電路分析法。E50602030202
42  靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號（ ）時的工作狀態(tài)稱為放大電路的靜態(tài)。 E50602020001
43  靜態(tài)工作點（quiescent operating point）：靜態(tài)時，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對應(yīng)的工作點，用Q表示。E50602020002
44  靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。E50602020003
45  動態(tài)（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號（ ）時的工作狀態(tài)稱為放大電路的動態(tài)。E50602030001
46  動態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47  輸入電阻 （input resistance）：放大電路對信號源（或?qū)η凹壏糯箅娐罚﹣碚f是一個負(fù)載，它可以用一個等效電阻來替代，這個等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個動態(tài)電阻。E50602030101
48  輸出電阻 （output resistance）：放大電路對負(fù)載（或?qū)�后級放大電路）來說，可以等效為一個電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個動態(tài)電阻。E50602030102
49  電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50  開環(huán)（open-loop）：輸出信號對輸入不存在任何作用時電路所處的狀態(tài)稱為開環(huán)。E50603020102
51  閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號對輸入存在作用時電路所處的狀態(tài)稱為閉環(huán)。E50603020103
52  增益（gain）：輸出信號與輸入信號之比的模量稱為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對數(shù)表達(dá)，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53  失真（distortion）：輸出信號的波形未能完全復(fù)現(xiàn)輸入信號的波形的現(xiàn)象稱為失真。E50602020201
54  非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱為非線性失真，其特點是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點不合適或者信號太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱為飽和失真（saturation distortion）。
55  交越失真（crossover distortion）：在乙類互補功放電路里,兩個功放管交替工作，在信號過零前后功放管靜態(tài)工作電流接近零，功放管進入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱為交越失真。E50602070301
56  效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分?jǐn)?shù)稱為效率。E50602070202
57  圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱為圖解法。E50602020203

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